19N20
MOSFET
N-Channel
TO263
Parametros Principales
Vds Max.
60.000 V
Id Max.
19.000 A
RDSon
0.1700 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
80.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO263 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 19 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 80 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 60 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.17 Ohm |
Preguntas Frecuentes
¿Que tipo de transistor es el 19N20?
El 19N20 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO263.
¿Cual es el voltaje maximo del 19N20?
El 19N20 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 60.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 19.000 A.