1D500A-030
BJT
NPN
BBTIV
Parametros Principales
Vce Max.
400.000 V
Vcb Max.
400.000 V
Ic Max.
500.000 A
hFE Min
500.000
Potencia Max.
2500.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | BBTIV |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 500 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 400 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 400 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 2500 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 500 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1D500A-030:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 1D500A-030?
Los reemplazos compatibles para el 1D500A-030 incluyen: 15GN01MA, 15GN01MA-TL-E, 15GN03CA, 15GN03CA-TB-E, 15GN03FA, 15GN03FA-TL-H, 15GN03MA, 15GN03MA-TL-E, 1DI200A-120, 1DI200E-055, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 1D500A-030?
El 1D500A-030 es un transistor BJT NPN en encapsulado BBTIV.
¿Cual es el voltaje maximo del 1D500A-030?
El 1D500A-030 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 400.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 500.000 A.
