1D500A-030

BJT NPN BBTIV

Parametros Principales

Vce Max. 400.000 V
Vcb Max. 400.000 V
Ic Max. 500.000 A
hFE Min 500.000
Potencia Max. 2500.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package BBTIV
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Maximum Collector Current |Ic max| 500 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 10 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 400 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 400 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 2500 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 500

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1D500A-030:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 1D500A-030?

Los reemplazos compatibles para el 1D500A-030 incluyen: 15GN01MA, 15GN01MA-TL-E, 15GN03CA, 15GN03CA-TB-E, 15GN03FA, 15GN03FA-TL-H, 15GN03MA, 15GN03MA-TL-E, 1DI200A-120, 1DI200E-055, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 1D500A-030?

El 1D500A-030 es un transistor BJT NPN en encapsulado BBTIV.

¿Cual es el voltaje maximo del 1D500A-030?

El 1D500A-030 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 400.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 500.000 A.

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