1D5N60
MOSFET
N-Channel
TO92
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
1.500 A
RDSon
8.3000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
10.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO92 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.5 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 10 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 8.3 Ohm |
Preguntas Frecuentes
¿Que tipo de transistor es el 1D5N60?
El 1D5N60 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO92.
¿Cual es el voltaje maximo del 1D5N60?
El 1D5N60 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.500 A.