1DI200A-120
BJT
NPN
MODULE
Parametros Principales
Vce Max.
1200.000 V
Vcb Max.
1200.000 V
Ic Max.
200.000 A
hFE Min
70.000
Potencia Max.
1400.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MODULE |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 200 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 1200 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 1200 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1400 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 70 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1DI200A-120:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 1DI200A-120?
Los reemplazos compatibles para el 1DI200A-120 incluyen: 15GN01MA-TL-E, 15GN03CA, 15GN03CA-TB-E, 15GN03FA, 15GN03FA-TL-H, 15GN03MA, 15GN03MA-TL-E, 1D500A-030, 1DI200E-055, 1DI200K-055, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 1DI200A-120?
El 1DI200A-120 es un transistor BJT NPN en encapsulado MODULE.
¿Cual es el voltaje maximo del 1DI200A-120?
El 1DI200A-120 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 1200.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 200.000 A.