1DI200E-055

BJT NPN M207

Parametros Principales

Vce Max. 600.000 V
Vcb Max. 600.000 V
Ic Max. 200.000 A
hFE Min 70.000
Potencia Max. 1000.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package M207
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Maximum Collector Current |Ic max| 200 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 6 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 600 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 600 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 1000 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 70

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1DI200E-055:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 1DI200E-055?

Los reemplazos compatibles para el 1DI200E-055 incluyen: 15GN03CA, 15GN03CA-TB-E, 15GN03FA, 15GN03FA-TL-H, 15GN03MA, 15GN03MA-TL-E, 1D500A-030, 1DI200A-120, 1DI200K-055, 1DI200Z-100, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 1DI200E-055?

El 1DI200E-055 es un transistor BJT NPN en encapsulado M207.

¿Cual es el voltaje maximo del 1DI200E-055?

El 1DI200E-055 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 600.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 200.000 A.

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