1DI300D-100

BJT NPN M105

Parametros Principales

Vce Max. 1000.000 V
Vcb Max. 1000.000 V
Ic Max. 300.000 A
hFE Min 100.000
Potencia Max. 2000.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package M105
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Maximum Collector Current |Ic max| 300 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 10 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 1000 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 1000 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 2000 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 100

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1DI300D-100:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 1DI300D-100?

Los reemplazos compatibles para el 1DI300D-100 incluyen: 2SD1555, 15GN03FA-TL-H, 15GN03MA, 15GN03MA-TL-E, 1D500A-030, 1DI200A-120, 1DI200E-055, 1DI200K-055, 1DI200Z-100, 1DI300Z-120, y 7 mas.

¿Que tipo de transistor es el 1DI300D-100?

El 1DI300D-100 es un transistor BJT NPN en encapsulado M105.

¿Cual es el voltaje maximo del 1DI300D-100?

El 1DI300D-100 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 1000.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 300.000 A.

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