1DI30MA-050

BJT NPN M102

Parametros Principales

Vce Max. 600.000 V
Vcb Max. 600.000 V
Ic Max. 30.000 A
hFE Min 750.000
Potencia Max. 200.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package M102
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Maximum Collector Current |Ic max| 30 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 10 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 600 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 600 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 200 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 750

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1DI30MA-050:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 1DI30MA-050?

Los reemplazos compatibles para el 1DI30MA-050 incluyen: 15GN03MA-TL-E, 1D500A-030, 1DI200A-120, 1DI200E-055, 1DI200K-055, 1DI200Z-100, 1DI300D-100, 1DI300Z-120, 1DI400A-120, 1DI480A-055, y 6 mas.

¿Que tipo de transistor es el 1DI30MA-050?

El 1DI30MA-050 es un transistor BJT NPN en encapsulado M102.

¿Cual es el voltaje maximo del 1DI30MA-050?

El 1DI30MA-050 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 600.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 30.000 A.

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