1DI30MA-050
BJT
NPN
M102
Parametros Principales
Vce Max.
600.000 V
Vcb Max.
600.000 V
Ic Max.
30.000 A
hFE Min
750.000
Potencia Max.
200.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | M102 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 30 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 600 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 600 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 200 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 750 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1DI30MA-050:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 1DI30MA-050?
Los reemplazos compatibles para el 1DI30MA-050 incluyen: 15GN03MA-TL-E, 1D500A-030, 1DI200A-120, 1DI200E-055, 1DI200K-055, 1DI200Z-100, 1DI300D-100, 1DI300Z-120, 1DI400A-120, 1DI480A-055, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 1DI30MA-050?
El 1DI30MA-050 es un transistor BJT NPN en encapsulado M102.
¿Cual es el voltaje maximo del 1DI30MA-050?
El 1DI30MA-050 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 600.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 30.000 A.
