1DI75F-100

BJT NPN M206

Parametros Principales

Vce Max. 1000.000 V
Vcb Max. 1000.000 V
Ic Max. 75.000 A
hFE Min 100.000
Potencia Max. 500.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package M206
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Maximum Collector Current |Ic max| 75 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 10 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 1000 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 1000 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 500 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 100

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1DI75F-100:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 1DI75F-100?

Los reemplazos compatibles para el 1DI75F-100 incluyen: 2N3904, 1DI480A-055, 1DI50F-100, 1DI50H-055, 1DI50K-055, 1DI50MA-050, 1DI75E-055, 1DI75E-100, 1DI75F-055, 1SC1383.

¿Que tipo de transistor es el 1DI75F-100?

El 1DI75F-100 es un transistor BJT NPN en encapsulado M206.

¿Cual es el voltaje maximo del 1DI75F-100?

El 1DI75F-100 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 1000.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 75.000 A.

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