1H05
MOSFET
N-Channel
SOT23
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
0.2340 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.300 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| tr - Rise Time | 39 max nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 22 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.3 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.234 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1H05:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 1H05?
Los reemplazos compatibles para el 1H05 incluyen: 1H10.
¿Que tipo de transistor es el 1H05?
El 1H05 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del 1H05?
El 1H05 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.