1H10
MOSFET
N-Channel
SOT89
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
8.000 A
RDSon
0.1350 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
4.500 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT89 |
| tr - Rise Time | 12 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 44 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 4.5 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.135 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1H10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 1H10?
Los reemplazos compatibles para el 1H10 incluyen: 1H05.
¿Que tipo de transistor es el 1H10?
El 1H10 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT89.
¿Cual es el voltaje maximo del 1H10?
El 1H10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 8.000 A.