1HN04CH
MOSFET
N-Channel
SOT-23
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
0.270 A
RDSon
8.0000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
0.600 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-23 |
| tr - Rise Time | 7.4 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 3.1 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 0.27 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.6 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 8 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1HN04CH:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 1HN04CH?
Los reemplazos compatibles para el 1HN04CH incluyen: 12N60AF, 13N110A, 13N60A, 13N60AF, 16N60A, 16N60AF, 16N60B, 19MT050XFAPBF, 1HP04CH, 1N60AF, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 1HN04CH?
El 1HN04CH es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-23.
¿Cual es el voltaje maximo del 1HN04CH?
El 1HN04CH tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 0.270 A.