1N50Z
MOSFET
N-Channel
TO-252 TO-92
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
1.300 A
RDSon
4.6000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
45.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-252 TO-92 |
| tr - Rise Time | 13 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 30 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.3 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 45 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 4.6 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1N50Z:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 1N50Z?
Los reemplazos compatibles para el 1N50Z incluyen: 26N50, 1N50, 2N50.
¿Que tipo de transistor es el 1N50Z?
El 1N50Z es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-252 TO-92.
¿Cual es el voltaje maximo del 1N50Z?
El 1N50Z tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.300 A.