1N60
MOSFET
N-Channel
TO-220 TO-92 SOT-223 TO-126 TO-251 TO-252
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
1.200 A
RDSon
9.3000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
40.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220 TO-92 SOT-223 TO-126 TO-251 TO-252 |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 20 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 9.3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1N60:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 1N60?
Los reemplazos compatibles para el 1N60 incluyen: 12N60, 15N60, 18N60, 20N60, 22N60, 1N60A, 1N60P, 1N60Z, 2N60L, 2N60K, y 1 mas.
¿Que tipo de transistor es el 1N60?
El 1N60 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220 TO-92 SOT-223 TO-126 TO-251 TO-252.
¿Cual es el voltaje maximo del 1N60?
El 1N60 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.200 A.