1N60L-TM3-T

MOSFET N-Channel TO251

Parametros Principales

Vds Max. 650.000 V
Id Max. 2.000 A
RDSon 5.0000 Ω
Vgs Max. 30.000 V
Potencia Max. 45.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO251
tr - Rise Time 20 nS
Type of Control Channel N-Channel
Coss - Output Capacitance 45 pF
|Id| - Maximum Drain Current 2 A
Pd - Maximum Power Dissipation 45 W
Tj - Maximum Junction Temperature 150 °C
|Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage 30 V
|Vds| - Maximum Drain-Source Voltage 650 V
RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance 5 Ohm

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1N60L-TM3-T:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 1N60L-TM3-T?

Los reemplazos compatibles para el 1N60L-TM3-T incluyen: 13N10, 15N10-TO251, 1812, 20N03L-TO252, 20N06L-TO252, 20N3LG-TO251, 20P06-TO252, 25N06L-TN3, 25NF20, 2N0623, y 1 mas.

¿Que tipo de transistor es el 1N60L-TM3-T?

El 1N60L-TM3-T es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO251.

¿Cual es el voltaje maximo del 1N60L-TM3-T?

El 1N60L-TM3-T tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.

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