1N60L-TND-R
MOSFET
N-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
1.200 A
RDSon
11.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
28.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 20 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 28 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 11.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1N60L-TND-R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 1N60L-TND-R?
Los reemplazos compatibles para el 1N60L-TND-R incluyen: 1N60L-T92-K, 1N60G-T92-K, 1N60L-TMS-T, 1N60G-TMS-T, 1N60L-TMS2-T, 1N60G-TMS2-T, 1N60L-TMS4-T, 1N60G-TMS4-T, 1N60G-TND-R, 1N65L-AA3-R, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 1N60L-TND-R?
El 1N60L-TND-R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 1N60L-TND-R?
El 1N60L-TND-R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.200 A.