1N65G-K08-5060-R
MOSFET
N-Channel
DFN5060-8
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
1.200 A
RDSon
12.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
14.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | DFN5060-8 |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 20 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 14 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 12.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1N65G-K08-5060-R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 1N65G-K08-5060-R?
Los reemplazos compatibles para el 1N65G-K08-5060-R incluyen: 1N65G-TN3-R, 1N65L-T60-K, 1N65G-T60-K, 1N65L-T92-B, 1N65G-T92-B, 1N65L-T92-K, 1N65G-T92-K, 1N65L-K08-5060-R, 20N70KL-TF2-T, 20N70KG-TF2-T, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 1N65G-K08-5060-R?
El 1N65G-K08-5060-R es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado DFN5060-8.
¿Cual es el voltaje maximo del 1N65G-K08-5060-R?
El 1N65G-K08-5060-R tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.200 A.