1N65G-TM3-T
MOSFET
N-Channel
TO-251
Parametros Principales
Vds Max.
650.000 V
Id Max.
1.200 A
RDSon
12.5000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
28.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251 |
| tr - Rise Time | 25 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 20 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 28 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 650 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 12.5 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1N65G-TM3-T:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 1N65G-TM3-T?
Los reemplazos compatibles para el 1N65G-TM3-T incluyen: 1N60G-TND-R, 1N65L-AA3-R, 1N65G-AA3-R, 1N65L-TA3-T, 1N65G-TA3-T, 1N65L-TF3-T, 1N65G-TF3-T, 1N65L-TM3-T, 1N65L-TMA-T, 1N65G-TMA-T, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 1N65G-TM3-T?
El 1N65G-TM3-T es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251.
¿Cual es el voltaje maximo del 1N65G-TM3-T?
El 1N65G-TM3-T tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 650.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.200 A.