1N90
MOSFET
N-Channel
TO-220 TO-262 TO-251 TO-252 TO-220F TO-220F1
Parametros Principales
Vds Max.
900.000 V
Id Max.
1.000 A
RDSon
10.3000 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
40.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-220 TO-262 TO-251 TO-252 TO-220F TO-220F1 |
| tr - Rise Time | 15 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 22 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 1 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 900 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 10.3 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 1N90:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 1N90?
Los reemplazos compatibles para el 1N90 incluyen: 10N90, 11N90, 12N90, 1N80, 2N80, 2N90.
¿Que tipo de transistor es el 1N90?
El 1N90 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-220 TO-262 TO-251 TO-252 TO-220F TO-220F1.
¿Cual es el voltaje maximo del 1N90?
El 1N90 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 900.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 1.000 A.