2016
MOSFET
N-Channel
SOT23
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
4.200 A
RDSon
0.0450 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
1.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| |Id| - Maximum Drain Current | 4.2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.045 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2016:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2016?
Los reemplazos compatibles para el 2016 incluyen: 1481, 2015, 2021, 2026, 2341.
¿Que tipo de transistor es el 2016?
El 2016 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del 2016?
El 2016 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 4.200 A.