20N60
MOSFET
N-Channel
TO-3P TO-247 TO-230
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
20.000 A
RDSon
0.3200 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
416.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3P TO-247 TO-230 |
| tr - Rise Time | 130 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 330 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 20 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 416 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.32 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 20N60:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 20N60?
Los reemplazos compatibles para el 20N60 incluyen: 10N60, 10N60K, 12N60, 15N60, 18N60, 22N60, 1N60A, 1N60, 1N60P, 1N60Z, y 1 mas.
¿Que tipo de transistor es el 20N60?
El 20N60 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3P TO-247 TO-230.
¿Cual es el voltaje maximo del 20N60?
El 20N60 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 20.000 A.