20N60A
MOSFET
N-Channel
LCC
Parametros Principales
Vds Max.
600.000 V
Id Max.
20.000 A
RDSon
0.3500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
310.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | LCC |
| tr - Rise Time | 45 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 420 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 20 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 310 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 600 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.35 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 20N60A:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 20N60A?
Los reemplazos compatibles para el 20N60A incluyen: 19MT050XFAPBF, 1HN04CH, 1HP04CH, 1N60AF, 1N60E, 1N60F, 1N60G, 20N50B, 24N50A, 24N50B, y 2 mas.
¿Que tipo de transistor es el 20N60A?
El 20N60A es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado LCC.
¿Cual es el voltaje maximo del 20N60A?
El 20N60A tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 600.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 20.000 A.