20P10
MOSFET
P-Channel
TO220 TO251 TO252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
20.000 A
RDSon
0.1000 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
85.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO220 TO251 TO252 |
| tr - Rise Time | 73 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 590 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 20 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 85 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.1 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 20P10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 20P10?
Los reemplazos compatibles para el 20P10 incluyen: 15P03, 16N10, 18N10, 2002A, 21N06, 22N10, 2301H, 2301L, 25P06, 25P10, y 2 mas.
¿Que tipo de transistor es el 20P10?
El 20P10 es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO220 TO251 TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 20P10?
El 20P10 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 20.000 A.