2301H
MOSFET
P-Channel
SOT23
Parametros Principales
Vds Max.
30.000 V
Id Max.
2.000 A
RDSon
0.1250 Ω
Vgs Max.
12.000 V
Potencia Max.
0.900 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT23 |
| tr - Rise Time | 35 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 75 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 2 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 0.9 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 12 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 30 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.125 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2301H:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2301H?
Los reemplazos compatibles para el 2301H incluyen: 15P03, 16N10, 18N10, 2002A, 20P10, 21N06, 22N10, 2301L, 25P06, 25P10, y 3 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2301H?
El 2301H es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado SOT23.
¿Cual es el voltaje maximo del 2301H?
El 2301H tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 30.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 2.000 A.