2312
MOSFET
N-Channel
SOT-23
Parametros Principales
Vds Max.
20.000 V
Id Max.
6.800 A
RDSon
0.0210 Ω
Vgs Max.
10.000 V
Potencia Max.
1.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT-23 |
| tr - Rise Time | 18 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 300 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 6.8 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 10 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 20 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.021 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2312:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2312?
Los reemplazos compatibles para el 2312 incluyen: 06N06L, 18N10W, 2300F.
¿Que tipo de transistor es el 2312?
El 2312 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado SOT-23.
¿Cual es el voltaje maximo del 2312?
El 2312 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 20.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 6.800 A.