25N10L-TM3-T
MOSFET
N-Channel
TO-251
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
23.000 A
RDSon
0.0800 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
41.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-251 |
| tr - Rise Time | 28 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 270 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 23 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 41 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.08 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 25N10L-TM3-T:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 25N10L-TM3-T?
Los reemplazos compatibles para el 25N10L-TM3-T incluyen: 24NM60G-T47-T, 24NM60L-T47S-T, 25N10L-TF1-T, 25N10G-TF1-T, 25N10L-TF2-T, 25N10G-TF2-T, 25N10L-TF3-T, 25N10G-TF3-T, 25N10G-TM3-T, 25N10L-TN3-R, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 25N10L-TM3-T?
El 25N10L-TM3-T es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-251.
¿Cual es el voltaje maximo del 25N10L-TM3-T?
El 25N10L-TM3-T tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 23.000 A.