25P10G
MOSFET
P-Channel
TO252
Parametros Principales
Vds Max.
100.000 V
Id Max.
30.000 A
RDSon
0.0500 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
120.000 W
Tj Max.
175.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| tr - Rise Time | 80 nS |
| Type of Control Channel | P-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 790 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 30 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 120 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 175 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 100 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.05 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 25P10G:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 25P10G?
Los reemplazos compatibles para el 25P10G incluyen: 2002A, 20P10, 21N06, 22N10, 2301H, 2301L, 25P06, 25P10, 28N10, 28P55.
¿Que tipo de transistor es el 25P10G?
El 25P10G es un transistor MOSFET P-Channel en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 25P10G?
El 25P10G tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 100.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 30.000 A.