26DB080D
BJT
NPN
X240
Parametros Principales
Vce Max.
800.000 V
Vcb Max.
1200.000 V
Ic Max.
37.000 A
Potencia Max.
300.000 W
Tj Max.
200.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | X240 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 37 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 1200 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 800 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 200 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 300 W |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 26DB080D:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 26DB080D?
Los reemplazos compatibles para el 26DB080D incluyen: 27925, 28025, 2A847, 2C111, 2C1893, 2C2222A, 2C2222AKB, 2C2857, 182T2, 182T2A, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 26DB080D?
El 26DB080D es un transistor BJT NPN en encapsulado X240.
¿Cual es el voltaje maximo del 26DB080D?
El 26DB080D tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 800.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 37.000 A.