26N50
MOSFET
N-Channel
TO-3P
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
26.000 A
RDSon
0.1500 Ω
Vgs Max.
30.000 V
Potencia Max.
290.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO-3P |
| tr - Rise Time | 250 nS |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 520 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 26 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 290 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 30 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.15 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 26N50:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 26N50?
Los reemplazos compatibles para el 26N50 incluyen: 11N50, 12N50, 13N50, 14N50, 15N50, 16N50, 18N50, 24N50, 1N50, 1N50Z.
¿Que tipo de transistor es el 26N50?
El 26N50 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado TO-3P.
¿Cual es el voltaje maximo del 26N50?
El 26N50 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 26.000 A.