2DB1119S
BJT
PNP
SOT89
Parametros Principales
Vce Max.
25.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
140.000
Potencia Max.
1.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT89 |
| Polarity | PNP |
| SMD Transistor Code | P12BS |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 200 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 25 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 140 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2DB1119S:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2DB1119S?
Los reemplazos compatibles para el 2DB1119S incluyen: 2DA2018, 2DB1386Q, 2DB1386R, 2DB1424R, 2DB1689, 2DB1697, 2DB1713, 2DD1621T, 2DD2098R.
¿Que tipo de transistor es el 2DB1119S?
El 2DB1119S es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT89.
¿Cual es el voltaje maximo del 2DB1119S?
El 2DB1119S tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 25.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.