2DB1132R
BJT
PNP
SOT89
Parametros Principales
Vce Max.
32.000 V
Ic Max.
1.000 A
hFE Min
180.000
Potencia Max.
1.000 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT89 |
| Polarity | PNP |
| SMD Transistor Code | P13R |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 190 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 32 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 180 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2DB1132R:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2DB1132R?
Los reemplazos compatibles para el 2DB1132R incluyen: 2DA1774Q, 2DA1774QLP, 2DA1774R, 2DA1774S, 2DA1797, 2DB1132P, 2DB1132Q, 2DB1184Q, 2DB1188P, 2DB1188Q, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2DB1132R?
El 2DB1132R es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT89.
¿Cual es el voltaje maximo del 2DB1132R?
El 2DB1132R tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 32.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.000 A.