2DB1182Q
BJT
PNP
TO252
Parametros Principales
Vce Max.
32.000 V
Vcb Max.
40.000 V
Ic Max.
2.000 A
hFE Min
120.000
Potencia Max.
10.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 110 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 26 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 2 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 5 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 40 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 32 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 10 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 120 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2DB1182Q:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2DB1182Q?
Los reemplazos compatibles para el 2DB1182Q incluyen: 2DA1201Y, 2DA1213O, 2DA1213Y, 2DA1971, 2DI75D-050A, 2DI75D-100, 2DI75M-120, 2DI75Z-120, 2DI100A-120, 2DI100D-050, y 2 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2DB1182Q?
El 2DB1182Q es un transistor BJT PNP en encapsulado TO252.
¿Cual es el voltaje maximo del 2DB1182Q?
El 2DB1182Q tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 32.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 2.000 A.