2DB1184Q
BJT
PNP
TO252 DPAK
Parametros Principales
Vce Max.
50.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
120.000
Potencia Max.
1.200 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO252 DPAK |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 110 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 50 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1.2 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 120 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2DB1184Q:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2DB1184Q?
Los reemplazos compatibles para el 2DB1184Q incluyen: 2DA1774Q, 2DA1774QLP, 2DA1774R, 2DA1774S, 2DA1797, 2DB1132P, 2DB1132Q, 2DB1132R, 2DB1188P, 2DB1188Q, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2DB1184Q?
El 2DB1184Q es un transistor BJT PNP en encapsulado TO252 DPAK.
¿Cual es el voltaje maximo del 2DB1184Q?
El 2DB1184Q tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 50.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.