2DB1689
BJT
PNP
SOT323
Parametros Principales
Vce Max.
12.000 V
Ic Max.
1.500 A
hFE Min
270.000
Potencia Max.
0.500 W
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | SOT323 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 300 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1.5 A |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 12 V |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.5 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 270 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2DB1689:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2DB1689?
Los reemplazos compatibles para el 2DB1689 incluyen: 2DA2018, 2DB1119S, 2DB1386Q, 2DB1386R, 2DB1424R, 2DB1697, 2DB1713, 2DD1621T, 2DD2098R, 2DD2150R, y 3 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2DB1689?
El 2DB1689 es un transistor BJT PNP en encapsulado SOT323.
¿Cual es el voltaje maximo del 2DB1689?
El 2DB1689 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 12.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.