2DI100D-100

BJT NPN M207

Parametros Principales

Vce Max. 1000.000 V
Vcb Max. 1000.000 V
Ic Max. 100.000 A
hFE Min 100.000
Potencia Max. 800.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package M207
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Maximum Collector Current |Ic max| 100 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 10 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 1000 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 1000 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 800 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 100

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2DI100D-100:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2DI100D-100?

Los reemplazos compatibles para el 2DI100D-100 incluyen: 2SC2879, 2DA1971, 2DB1182Q, 2DI75D-050A, 2DI75D-100, 2DI75M-120, 2DI75Z-120, 2DI100A-120, 2DI100D-050, 2DI100Z-100, y 7 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2DI100D-100?

El 2DI100D-100 es un transistor BJT NPN en encapsulado M207.

¿Cual es el voltaje maximo del 2DI100D-100?

El 2DI100D-100 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 1000.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 100.000 A.

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