2DI100Z-120
BJT
NPN
M210
Parametros Principales
Vce Max.
1200.000 V
Vcb Max.
1200.000 V
Ic Max.
100.000 A
hFE Min
100.000
Potencia Max.
800.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | M210 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 100 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 1200 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 1200 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 800 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 100 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2DI100Z-120:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2DI100Z-120?
Los reemplazos compatibles para el 2DI100Z-120 incluyen: 2DI75D-050A, 2DI75D-100, 2DI75M-120, 2DI75Z-120, 2DI100A-120, 2DI100D-050, 2DI100D-100, 2DI100Z-100, 2DI150A-120, 2DI150D-050, y 5 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2DI100Z-120?
El 2DI100Z-120 es un transistor BJT NPN en encapsulado M210.
¿Cual es el voltaje maximo del 2DI100Z-120?
El 2DI100Z-120 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 1200.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 100.000 A.