2DI200A-050

BJT NPN M207

Parametros Principales

Vce Max. 600.000 V
Vcb Max. 600.000 V
Ic Max. 200.000 A
hFE Min 80.000
Potencia Max. 900.000 W
Tj Max. 150.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package M207
Polarity NPN
Material of Transistor Si
Maximum Collector Current |Ic max| 200 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 10 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 600 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 600 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 150 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 900 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 80

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2DI200A-050:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2DI200A-050?

Los reemplazos compatibles para el 2DI200A-050 incluyen: 2DI100D-100, 2DI100Z-100, 2DI100Z-120, 2DI150A-120, 2DI150D-050, 2DI150D-100, 2DI150Z-100, 2DI150Z-120, 2DI200D-100, 2DI50A-120, y 4 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2DI200A-050?

El 2DI200A-050 es un transistor BJT NPN en encapsulado M207.

¿Cual es el voltaje maximo del 2DI200A-050?

El 2DI200A-050 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 600.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 200.000 A.

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