2DI200D-100
BJT
NPN
M207
Parametros Principales
Vce Max.
1000.000 V
Vcb Max.
1000.000 V
Ic Max.
200.000 A
hFE Min
100.000
Potencia Max.
1200.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | M207 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 200 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 1000 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 1000 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1200 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 100 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2DI200D-100:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2DI200D-100?
Los reemplazos compatibles para el 2DI200D-100 incluyen: 2DI100Z-100, 2DI100Z-120, 2DI150A-120, 2DI150D-050, 2DI150D-100, 2DI150Z-100, 2DI150Z-120, 2DI200A-050, 2DI50A-120, 2DI50D-050A, y 5 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2DI200D-100?
El 2DI200D-100 es un transistor BJT NPN en encapsulado M207.
¿Cual es el voltaje maximo del 2DI200D-100?
El 2DI200D-100 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 1000.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 200.000 A.