2DI50A-120
BJT
NPN
M206
Parametros Principales
Vce Max.
1200.000 V
Vcb Max.
1200.000 V
Ic Max.
50.000 A
hFE Min
70.000
Potencia Max.
400.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | M206 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 50 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 1200 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 1200 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 400 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 70 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2DI50A-120:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2DI50A-120?
Los reemplazos compatibles para el 2DI50A-120 incluyen: 2DI150D-050, 2DI150D-100, 2DI150Z-100, 2DI150Z-120, 2DI200A-050, 2DI200D-100, 2DI50D-050A, 2DI50D-100, 2DI50M-050, 2DI50M-120, y 4 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2DI50A-120?
El 2DI50A-120 es un transistor BJT NPN en encapsulado M206.
¿Cual es el voltaje maximo del 2DI50A-120?
El 2DI50A-120 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 1200.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 50.000 A.