2DI50M-120
BJT
NPN
M204
Parametros Principales
Vce Max.
1200.000 V
Vcb Max.
1200.000 V
Ic Max.
50.000 A
hFE Min
500.000
Potencia Max.
310.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | M204 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 50 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 1200 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 1200 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 310 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 500 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2DI50M-120:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2DI50M-120?
Los reemplazos compatibles para el 2DI50M-120 incluyen: 2DI200A-050, 2DI200D-100, 2DI50A-120, 2DI50D-050A, 2DI50D-100, 2DI50M-050, 2DI50Z-100, 2DI50Z-120, 2DI240A-055, 2DI300A-050, y 3 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2DI50M-120?
El 2DI50M-120 es un transistor BJT NPN en encapsulado M204.
¿Cual es el voltaje maximo del 2DI50M-120?
El 2DI50M-120 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 1200.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 50.000 A.