2G10
BJT
PNP
TO1
Parametros Principales
Vce Max.
8.000 V
Vcb Max.
8.000 V
Ic Max.
0.120 A
hFE Min
25.000
Potencia Max.
0.125 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO1 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 1 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 22 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.12 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 1 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 8 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 8 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.125 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 25 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2G10:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2G10?
Los reemplazos compatibles para el 2G10 incluyen: 2CY22, 2CY30, 2CY31, 2CY32, 2CY33, 2CY34, 2CY38, 2CY39, 2G101, 2G102, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2G10?
El 2G10 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2G10?
El 2G10 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 8.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.120 A.