2G110
BJT
PNP
TO5
Parametros Principales
Vce Max.
15.000 V
Vcb Max.
18.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
15.000
Potencia Max.
0.140 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO5 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 100 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 5 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 2 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 18 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 15 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.14 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2G110:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2G110?
Los reemplazos compatibles para el 2G110 incluyen: 2G1025, 2G1026, 2G1027, 2G103, 2G104, 2G106, 2G108, 2G109, 2G138, 2G139, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2G110?
El 2G110 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO5.
¿Cual es el voltaje maximo del 2G110?
El 2G110 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 15.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.