2G309
BJT
PNP
TO1
Parametros Principales
Vce Max.
20.000 V
Vcb Max.
20.000 V
Ic Max.
0.100 A
hFE Min
120.000
Potencia Max.
0.200 W
Tj Max.
100.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO1 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 12 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 15 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.1 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 20 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 20 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 100 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.2 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 120 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2G309:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2G309?
Los reemplazos compatibles para el 2G309 incluyen: 2G271, 2G30, 2G301, 2G302, 2G303, 2G304, 2G306, 2G308, 2G319, 2G320, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2G309?
El 2G309 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2G309?
El 2G309 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 20.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.100 A.