2MI50S-050
MOSFET
N-Channel
MODULE
Parametros Principales
Vds Max.
500.000 V
Id Max.
50.000 A
RDSon
0.1100 Ω
Vgs Max.
20.000 V
Potencia Max.
400.000 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | MODULE |
| Type of Control Channel | N-Channel |
| Coss - Output Capacitance | 900 pF |
| |Id| - Maximum Drain Current | 50 A |
| Pd - Maximum Power Dissipation | 400 W |
| Tj - Maximum Junction Temperature | 150 °C |
| |Vgs| - Maximum Gate-Source Voltage | 20 V |
| |Vds| - Maximum Drain-Source Voltage | 500 V |
| RDSon - Maximum Drain-Source On-State Resistance | 0.11 Ohm |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2MI50S-050:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2MI50S-050?
Los reemplazos compatibles para el 2MI50S-050 incluyen: 1N60E, 1N60F, 1N60G, 20N50B, 20N60A, 24N50A, 24N50B, 24N50C.
¿Que tipo de transistor es el 2MI50S-050?
El 2MI50S-050 es un transistor MOSFET N-Channel en encapsulado MODULE.
¿Cual es el voltaje maximo del 2MI50S-050?
El 2MI50S-050 tiene un voltaje maximo drain-source (Vds) de 500.000 V y una corriente maxima de drain (Id) de 50.000 A.