2N101-13
BJT
PNP
TO13
Parametros Principales
Vce Max.
15.000 V
Vcb Max.
30.000 V
Ic Max.
1.500 A
hFE Min
10.000
Potencia Max.
1.000 W
Tj Max.
75.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO13 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.4 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 1.5 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 15 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 30 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 15 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 75 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 1 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 10 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N101-13:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N101-13?
Los reemplazos compatibles para el 2N101-13 incluyen: 2N1007, 2N1008, 2N1008A, 2N1008B, 2N1009, 2N101, 2N1010, 2N1011, 2N1012, 2N1013, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N101-13?
El 2N101-13 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO13.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N101-13?
El 2N101-13 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 15.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.