2N1010
BJT
NPN
TO1
Parametros Principales
Vce Max.
10.000 V
Vcb Max.
10.000 V
Ic Max.
0.002 A
hFE Min
35.000
Potencia Max.
0.020 W
Tj Max.
85.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO1 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 1 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.002 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 10 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 10 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 10 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 85 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.02 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 35 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1010:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1010?
Los reemplazos compatibles para el 2N1010 incluyen: 2SC2383, 2N1005, 2N1006, 2N1007, 2N1008, 2N1008A, 2N1008B, 2N1009, 2N101, 2N1011, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1010?
El 2N1010 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO1.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1010?
El 2N1010 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 10.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.002 A.