2N1019
BJT
NPN
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
30.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
15000.000
Potencia Max.
10.000 W
Tj Max.
90.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 0.05 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 30 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 30 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 90 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 10 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 15000 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1019:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1019?
Los reemplazos compatibles para el 2N1019 incluyen: 2N1016A, 2N1016B, 2N1016C, 2N1016D, 2N1016E, 2N1016F, 2N1017, 2N1018, 2N102, 2N1020, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1019?
El 2N1019 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO3.