2N102-13

BJT NPN TO13

Parametros Principales

Vce Max. 30.000 V
Vcb Max. 30.000 V
Ic Max. 1.500 A
hFE Min 10.000
Potencia Max. 1.000 W
Tj Max. 75.000 °C

Especificaciones Completas

Parametro Valor
Package TO13
Polarity NPN
Material of Transistor Ge
Transition Frequency (ft) 0.4 MHz
Maximum Collector Current |Ic max| 1.5 A
Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| 15 V
Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| 30 V
Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| 30 V
Max. Operating Junction Temperature (Tj) 75 °C
Maximum Collector Power Dissipation (Pc) 1 W
Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN 10

Transistores Equivalentes y Compatibles

Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N102-13:

Preguntas Frecuentes

¿Con que puedo reemplazar el 2N102-13?

Los reemplazos compatibles para el 2N102-13 incluyen: 2N1016E, 2N1016F, 2N1017, 2N1018, 2N1019, 2N102, 2N1020, 2N1021, 2N1021A, 2N1022, y 7 mas.

¿Que tipo de transistor es el 2N102-13?

El 2N102-13 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO13.

¿Cual es el voltaje maximo del 2N102-13?

El 2N102-13 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 30.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 1.500 A.

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