2N1041-1
BJT
PNP
TO31
Parametros Principales
Vce Max.
60.000 V
Vcb Max.
100.000 V
Ic Max.
3.000 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
95.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO31 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.225 MHz |
| Collector Capacitance (Cc) | 200 pF |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 3 A |
| Maximum Emitter-Base Voltage |Veb| | 20 V |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 100 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 60 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 95 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 20 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1041-1:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1041-1?
Los reemplazos compatibles para el 2N1041-1 incluyen: 2N1039, 2N1039-1, 2N1039-2, 2N104, 2N1040, 2N1040-1, 2N1040-2, 2N1041, 2N1041-2, 2N1042, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1041-1?
El 2N1041-1 es un transistor BJT PNP en encapsulado TO31.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1041-1?
El 2N1041-1 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 60.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 3.000 A.