2N1073B
BJT
PNP
TO3
Parametros Principales
Vcb Max.
120.000 V
Ic Max.
10.000 A
hFE Min
20.000
Potencia Max.
20.000 W
Tj Max.
110.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO3 |
| Polarity | PNP |
| Material of Transistor | Ge |
| Transition Frequency (ft) | 0.7 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 10 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 120 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 110 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 20 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 20 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1073B:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1073B?
Los reemplazos compatibles para el 2N1073B incluyen: 2N1069, 2N107, 2N1070, 2N1072, 2N1072A, 2N1072B, 2N1073, 2N1073A, 2N1074, 2N1075, y 7 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1073B?
El 2N1073B es un transistor BJT PNP en encapsulado TO3.