2N1075
BJT
NPN
TO9
Parametros Principales
Vce Max.
35.000 V
Vcb Max.
50.000 V
Ic Max.
0.050 A
hFE Min
18.000
Potencia Max.
0.250 W
Tj Max.
150.000 °C
Especificaciones Completas
| Parametro | Valor |
|---|---|
| Package | TO9 |
| Polarity | NPN |
| Material of Transistor | Si |
| Transition Frequency (ft) | 0.25 MHz |
| Maximum Collector Current |Ic max| | 0.05 A |
| Maximum Collector-Base Voltage |Vcb| | 50 V |
| Maximum Collector-Emitter Voltage |Vce| | 35 V |
| Max. Operating Junction Temperature (Tj) | 150 °C |
| Maximum Collector Power Dissipation (Pc) | 0.25 W |
| Forward Current Transfer Ratio (hFE), MIN | 18 |
Transistores Equivalentes y Compatibles
Los siguientes transistores pueden utilizarse como reemplazo o alternativa del 2N1075:
Preguntas Frecuentes
¿Con que puedo reemplazar el 2N1075?
Los reemplazos compatibles para el 2N1075 incluyen: 2N1070, 2N1072, 2N1072A, 2N1072B, 2N1073, 2N1073A, 2N1073B, 2N1074, 2N1076, 2N1077, y 6 mas.
¿Que tipo de transistor es el 2N1075?
El 2N1075 es un transistor BJT NPN en encapsulado TO9.
¿Cual es el voltaje maximo del 2N1075?
El 2N1075 tiene un voltaje maximo colector-emisor (Vce) de 35.000 V y una corriente maxima de colector (Ic) de 0.050 A.